FIB 線路修補
“ FIB Circuit Edit 是一種快速、低成本且有效驗證改版光罩之成效的工具，適用於鋁（Al）及銅（Cu）製程。其可應用在新晶片設計偵錯、除錯，驗證改版效果，元件特性實驗與故障分析皆為 FIB 所提供之服務項目。 ”
聚焦式離子束顯微鏡（Focused Ion Beam, FIB）
技術原理：
⓵ 離子束產生
- 利用液相鎵 (Ga) 金屬的離子源 (Source)。
- 經由負電場牽引，將尖端細小的鎵原子導出鎵離子束。
⓶ 聚焦與控制
- 以電磁透鏡將鎵離子束進行聚焦。
- 經過一連串孔徑決定離子束的能量大小。
⓷ 作用與加工
- 鎵離子束經過二次聚焦至試片表面。
- 利用物理碰撞來進行特定圖案的加工，作用於樣品表面以取得影像或去除物質。
⓸ 有機氣體輔助
- 搭配有機氣體可進行快速有效的選擇性蝕刻。
- 與沉積導體（如鉑 Pt、鎢 W）或非導體（如二氧化矽 SiO₂）。
服務目的：
- 高效驗證與修復：透過電路修改與驗證，不需多次改版光罩，而是透過 FIB 線路修補去對 IC 做局部的蝕刻和沉積，功能定案後只需改版該次光罩再行量產，可大幅降低產品開發或改版的實驗時間與經費。
- 訊號測試與觀測：驗証 IC 內部訊號只需利用 FIB 做出 PAD（訊號擷取點），再配合點針設備去做觀測。
- PAD 應用（50 * 50 um）：
- 外接單心線作訊號測量。
- 降低電阻之連線。
- 外接多種規格電容＆電阻。
設備與技術：
- 應用於 AI & Cu circuit edit 製程。
- 應用於 AI circuit edit 製程。
設備：FEI Vectra-IET
特點：
- 鋁（Al）或銅（Cu）製程電路修補。
- 可進 8″ wafer，不須破片。
- GDS 與樣品同步定位，準確標定 FIB 施做點。
- 多樣化學氣體並用，
- 可沉積長成鎢導線和二氧化矽絕緣層。
- 針對鋁或銅材料分解有對應化氣運用。
- 高效開挖鈍化層及有機絕緣層。
技術限制：
- PCB 樣品，尺寸 < 10*10（cm）。
- PCB 樣品附屬元件，
- 不宜焊置 PCB 板背面。
- 高度不能於 1cm。
- 鋁（Al）或銅（Cu）製程電路修補。
- 離 FIB 施做點元件大用 0.5cm。
案例分享：
GDS 輔助即時定位影像
銅製程樣品，FIB 施做點位於錫球正下方
FIB 生成鎢導線及氧化矽絕緣層防止切點短路
光學顯微鏡（OM）影像驗證
設備：FEI 201
特點：
- Iodine（Al metal etching）：鋁製程線路蝕刻。
- XeF2（SiO2 etching）：用於護層蝕刻。
- Tungsten（W conductor deposition）：以鎢為材料進行鋁製程線路沉積。
- 點針墊層（Probing Pad）製作。
- 2pF 以下電容製作。
技術限制：
- PCB 板 10*10（cm）以內。
- Wafer 需破片。
案例分享：
鋁（Al）製程電路修改
點針墊層（Probing Pad）製作
